Новий силовий модуль на 1700 В

ROHM анонсувала розробку силового модуля SiC з номіналом 1700 В / 250 А, який забезпечує високий рівень надійності, оптимізований для інверторних та конверторних програм, таких як зовнішні системи генерації електроенергії та промислові джерела живлення

В останні роки завдяки своїм енергозберігаючим перевагам SiC все ширше застосовується в таких додатках на 1200 В, як електромобілі та промислове обладнання. Тенденція до вищої щільності потужності призвела до вищих системних напруг, збільшуючи попит на продукцію на 1700 В. Однак було важко досягти бажаної надійності, і тому IGBT зазвичай є кращими для додатків на 1700 В. У відповідь на це ROHM зміг досягти високої надійності при 1700 В, зберігаючи енергозберігаючі характеристики своїх популярних продуктів SiC 1200 В, досягнувши першої успішної комерціалізації силових модулів SiC потужністю 1700 В.

BSM250D17P2E004 використовує нові методи будівництва та матеріали для покриття, щоб запобігти пробою діелектрика і пригнічувати збільшення струму витоку. В результаті досягається висока надійність, яка запобігає пробою діелектрика навіть через 1000 годин при випробуванні на зміщення при високій вологості при високій температурі (HV-H3TRB). Це забезпечує роботу високої напруги (1700 В) навіть в умовах суворої температури та вологості.

Включаючи перевірені ROHM MOS-транзистори SiC та бар'єрні діоди SiC Шотткі в один і той же модуль та оптимізуючи внутрішню структуру, можна зменшити опір ON на 10% порівняно з іншими продуктами SiC у своєму класі. Це означає покращену економію енергії та зменшення тепловіддачі в будь-якому застосуванні.

Ключові риси

1. Досягає найвищого рівня надійності в умовах високої температури та високої вологості

Цей останній модуль 1700 В представляє новий метод упаковки та покривних матеріалів для захисту чіпа, що дозволяє досягти першої успішної комерціалізації 1700 В модуля SiC, пройшовши випробування на надійність HV-H3TRB.

Наприклад, під час випробовування високої температури на високу вологість BSM250D17P2E004 демонстрував надзвичайну надійність без відмов, навіть коли 1360 В подається більше 1000 годин при 85 ° C та вологості 85%, на відміну від звичайних модулів IGBT, які зазвичай виходять з ладу протягом 1000 годин через діелектрик зламатися. Для забезпечення найвищого рівня надійності ROHM перевіряв струм витоку модулів через різні інтервали з найвищим рівнем блокуючої напруги 1700В.

2. Чудова стійкість до увімкнення сприяє більшій економії енергії

Поєднання бар'єрних діодів SiC Schottky від ROHM і MOSFET-транзисторів у межах одного модуля дозволяє зменшити опір включення на 10% порівняно з іншими продуктами цього класу, що сприяє поліпшенню економії енергії.

Частина No	Абсолютний максимальний рейтинг (Ta = 25ºC)	Індуктивність (нГн)	Пакет (мм)	Термістор
VDSS (V)	VGS (V)	Ідентифікатор (A)	Tj макс. (ºC)	Tstg (ºC)	Візол (V)
BSM080D12P2C008	1200	-6 до 22	80	175	-40 до 125	2500	25	Тип C 45,6 х 122 х 17	НС
BSM120D12P2C005	120
BSM180D12P3C007	Від -4 до 22	180
BSM180D12P2E002	-6 до 22	180	13	Тип E 62 х 152 х 17	ТАК
BSM300D12P2E001	300
BSM400D12P3G002	Від -4 до 22	400	10	Тип G 62 х 152 х 17
BSM600D12P3G001	600
BSM250D17P2E004	1700	-6 до 22	250	3400	13	Тип E 62 х 152 х 17