Корпорація Toshiba Electronic Devices & Storage представила GT20N135SRA, дискретний IGBT 1350 В для настільної плити IH, рисоварок IH, мікрохвильових печей та іншої побутової техніки, що використовує резонансні схеми напруги. IGBT має напругу насичення колектора-випромінювача 1,75 В і напругу прямого діода 1,8 В, що приблизно на 10% і 21% нижче, ніж для поточного продукту.
І IGBT, і діод мають покращені характеристики втрати провідності при високій температурі (T C = 100 ℃), а новий IGBT може допомогти зменшити споживання енергії обладнанням. Він також має тепловий опір з'єднання з корпусом 0,48 ℃ / Вт, приблизно на 26% нижчий, ніж у сучасних виробів, що дозволяє спростити теплову конструкцію.
Особливості GT20N135SRA IGBT
- Низькі втрати провідності:
VCE (sat) = 1,6 В (тип.) (@ IC = 20 А, VGE = 15 В, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75 В (тип.) (@ IF = 20 А, VGE = 0 В, Ta = 25 ℃)
- Низький тепловий опір з'єднання з корпусом: Rth (jC) = 0,48 ℃ / Вт (макс.)
- Пригнічує струм короткого замикання, який протікає через резонансний конденсатор при включенні обладнання.
- Широка безпечна зона експлуатації
Новий IGBT може придушити струм короткого замикання, який протікає через резонансний конденсатор при включенні обладнання. Його пікове значення струму в ланцюзі становить 129А, що на 31% менше від поточного продукту. GT20N135SRA полегшує конструкцію обладнання в порівнянні з іншими подібними продуктами, доступними сьогодні, оскільки його безпечна робоча зона розширюється. Щоб отримати докладнішу інформацію про GT20N135SRA, відвідайте офіційний веб-сайт корпорації Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.